PROSESSUTVIKLING FOR FRAMSTILLING AV TYNNE “3D PIXEL“ STRÅLINGSSENSORER
Enkeltsidig prosessering av 150 mm silisiumskiver (23 pcs) med egen “Deep Reactive Ion Etch (DRIE)“ fabrikasjonsteknologi
Totalbudsjett: 2 MNOK
Tidsramme: Oppstart 2014 tredje kvartal, 26 ukers gjennomløpstid
Fysisk leveranser: Ferdigprosesserte silisiumskiver sendes til CERN
Teknisk spesifikasjon:
Innkjøp av råmaterialer:
- Substratskiver: 300 um tykkelse, 150 mm diameter p-type høyresistivitet “float-zone“
- Støtteskiver: 300 um tykkelse, 150 mm diameter, mekanisk kvalitet
Konstruksjon og innkjøp av fotomasker, totalt 8 masker:
- N+ elektroder (DRIE and POLY)
- P+ elektroder (DRIE and POLY)
- Metall-lag for test
- Endelig metall-lag
Sensorfabrikasjon:
- P-spray implantering av substratskive
- Sammenbinding av substrat- og støtteskiver
- Nedtynning til 50, 100 um
- DRIE-fabrikasjon av 3D elektrodestrukturer, best mulig høyde/diameter-forhold
- Implantering av elektroder, fylling med polysilisium, separate steg for N+ og P+
- Kontaktåpninger, metall-lag og passivering
Kvalitetskontroll og testing:
- Evaluering av standard testdioder og sk. “process control monitors“
- Målinger med metall-lag for testing
Kontraktstildeling
Tittel: Prosessutvikling for framstilling av 3DPixel strålingssensorer
Dato for kontraktstildeling: 23-07-2014
Antall mottatte tilbud: 1
Kontaktpunkt for leverandøren som har blitt tildelt kontrakten:
SINTEF ICT, Postboks 124 Blindern, 0314 Oslo, NO.