Equipment for Full Nitride MBE

Assignment text

Formålet med innkjøpet er en oppgradering og rekondisjonering av vår gamle modell «Varian Gen II, moleylærstråleepitaksianlegg» fra et system som har vært brukt til primært å lage galliumarsenid- og galliumantimonidhalvledere, til et system som kan produsere nanotråder og filmer av galliumnitrid og relaterte materialer med høy optisk kvalitet. MBE-anlegget vil bli brukt til forskning.